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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | MODULE-7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.11 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 170 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 690 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 420 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 110 ns | VCEsat-Max： | 2.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSM75GB120DN2 | INFINEON |
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IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
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| BSM75GB120DN2 | EUPEC |
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IGBT Power Module |
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| BSM75GB160D | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 100A I(C) |
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| BSM75GB170DN2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
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| BSM75GB170DN2 | EUPEC |
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IGBT Power Module |
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| BSM75GB60DLC | EUPEC |
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Hchstzulssige Werte Maximum rated values |
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| BSM75GB60DLCHOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| BSM75GD120DLC | ETC |
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IGBT Module |
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| BSM75GD120DN2 | INFINEON |
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IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel d |
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| BSM75GD60DLC | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |
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