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BSM75GAR120DN2

更新时间： 2024-11-16 12:52:43

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IGBT Power Module

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BSM75GAR120DN2 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.16	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	1
端子数量：	7	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSM75GAR120DN2 数据手册

BSM 75 GAL 120 DN2

IGBT Power Module

• Single switch with chopper diode at collector

• Including fast free-wheeling diodes

• Package with insulated metal base plate

Type

Package

Ordering Code

BSM 75 GAL 120 DN2

1200V 105A HALF BRIDGE GAL 1 C67076-A2011-A70

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-gate voltage

1200

CGR

Ω

= 20 k

1200

± 20

Gate-emitter voltage

DC collector current

T = 25 °C

105

T = 80 °C

Pulsed collector current, t = 1 ms

Cpuls

T = 25 °C

210

150

T = 80 °C

Power dissipation per IGBT

tot

T = 25 °C

625

Chip temperature

+ 150

°C

Storage temperature

-40 ... + 125

stg

Thermal resistance, chip case

Diode thermal resistance, chip case

Diode thermal resistance, chip-case,chopper

Insulation test voltage, t = 1min.

Creepage distance

≤ 0.2

≤ 0.5

K/W

thJC

THJC

≤

0.36

2500

Vac

Clearance

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

sec

40 / 125 / 56

Nov-24-1997

12 3 4 5 6 7

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与BSM75GAR120DN2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSM75GB100D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 75A I(C)
BSM75GB120D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 75A I(C)
BSM75GB120DL	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
BSM75GB120DLC	EUPEC	获取价格	Hchstzulssige Werte Maximum rated values
BSM75GB120DN2	INFINEON	获取价格	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated
BSM75GB120DN2	EUPEC	获取价格	IGBT Power Module
BSM75GB160D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1.6KV V(BR)CES \| 100A I(C)
BSM75GB170DN2	INFINEON	获取价格	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated
BSM75GB170DN2	EUPEC	获取价格	IGBT Power Module
BSM75GB60DLC	EUPEC	获取价格	Hchstzulssige Werte Maximum rated values