5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.82 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 最大功率耗散 (Abs)： | 625 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSM75GAL120DN2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes) |
|
| BSM75GAL120DN2 | EUPEC |
获取价格 |
IGBT Power Module |
|
| BSM75GAR120DN2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Power Module |
|
| BSM75GB100D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) |
|
| BSM75GB120D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) |
|
| BSM75GB120DL | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, |
|
| BSM75GB120DLC | EUPEC |
获取价格 |
Hchstzulssige Werte Maximum rated values |
|
| BSM75GB120DN2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
|
| BSM75GB120DN2 | EUPEC |
获取价格 |
IGBT Power Module |
|
| BSM75GB160D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 100A I(C) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
