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APT35GN120L2DQ2G

更新时间: 2024-10-28 12:47:31
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美高森美 - MICROSEMI 晶体半导体晶体管功率控制双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
44页 2833K
描述
Power Semiconductors Power Modules

APT35GN120L2DQ2G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-264MA
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.45Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):94 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值:6.5 V
门极-发射极最大电压:30 VJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):379 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):465 ns
标称接通时间 (ton):46 nsBase Number Matches:1

APT35GN120L2DQ2G 数据手册

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