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APT35GP120JDF2

更新时间： 2024-11-24 20:00:51

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	208K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES

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APT35GP120JDF2 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ISOTOP
包装说明：	,	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	64 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
门极-发射极最大电压：	20 V	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最大功率耗散 (Abs)：	284 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	Base Number Matches：	1

APT35GP120JDF2 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

APT35GP120JDF2

1200V

POWER MOS 7 IGBT

SOT-227

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

highvoltageswitchingapplicationsandhasbeenoptimizedforhighfrequency

switchmode power supplies.

"UL Recognized"

ISOTOP^®

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• 50 kHz operation @ 800V, 14A

• 20 kHz operation @ 800V, 25A

• RBSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

UNIT

Symbol

V_CES

V_GE

APT35GP120JDF2

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Amps

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_CM

140

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area @ T_J= 150°C

140A @ 960V

284

Watts

°C

P_D

Total Power Dissipation

T_J,T_STG

-55 to 150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1200

TYP

MAX

UNIT

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 500µA)

BV_CES

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

4.5

3.3

Volts

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 35A, T_j= 25°C)

V_CE(ON)

3.9

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 35A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

500

3000

±100

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

I_GES

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT35GP120JDQ2	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT35GT120JU2	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU2-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon typ
APT35GT120JU3	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU3	ADPOW	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU3-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Buck chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon type
APT35M42BFN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 350V V(BR)DSS \| 95A I(D)
APT35M42DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| CHIP
APT35M80AFN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 350V V(BR)DSS \| 58A I(D)
APT35M80DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| CHIP

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