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APT35GP120JDQ2

更新时间： 2024-10-28 08:33:23

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ADPOW		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
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POWER MOS 7 IGBT

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APT35GP120JDQ2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	64 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	220 ns	标称接通时间 (ton)：	36 ns
Base Number Matches：	1

APT35GP120JDQ2 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

APT35GP120JDQ2

1200V

APT35GP120JDQ2

POWER MOS 7 IGBT

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch

Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching

applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies.

"UL Recognized"

file # E145592

ISOTOP^®

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• RBSOA Rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

UNIT

APT35GP120JDQ2

V_CES

V_GE

I_C1

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

Volts

±30

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_C2

Amps

Pulsed Collector Current

I_CM

140

Reverse Bias Safe Operating Area @ T_J= 150°C

140A @ 960V

284

RBSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 350µA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 35A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 35A, T_j= 125°C)

1200

4.5

3.3

Volts

3.9

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

350

I_CES

I_GES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

3000

±100

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT35GT120JU2	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU2-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon typ
APT35GT120JU3	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU3	ADPOW	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU3-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Buck chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon type
APT35M42BFN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 350V V(BR)DSS \| 95A I(D)
APT35M42DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| CHIP
APT35M80AFN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 350V V(BR)DSS \| 58A I(D)
APT35M80DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| CHIP
APT36GA60B	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT

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