5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | ISOTOP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.18 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 55 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 260 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 610 ns | 标称接通时间 (ton)： | 135 ns |
| VCEsat-Max： | 2.1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT35GT120JU3-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Buck chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon type |
|
| APT35M42BFN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 350V V(BR)DSS | 95A I(D) |
|
| APT35M42DN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
|
| APT35M80AFN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 350V V(BR)DSS | 58A I(D) |
|
| APT35M80DN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
|
| APT36GA60B | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT36GA60BD15 | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT36GA60S | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT36GA60SD15 | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT36N90BC3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Super Junction MOSFET |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
