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APT35GP120B2DF2

更新时间： 2024-11-27 14:47:43

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ADPOW		栅
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7页	88K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, B2, TMAX-3

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APT35GP120B2DF2 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	96 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	220 ns	标称接通时间 (ton)：	36 ns
Base Number Matches：	1

APT35GP120B2DF2 数据手册

APT35GP120B2DF2

1200V

POWER MOS 7 IGBT

T-Max^TM

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

highvoltageswitchingapplicationsandhasbeenoptimizedforhighfrequency

switchmode power supplies.

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• 100 kHz operation @ 800V, 14A

• 50 kHz operation @ 800V, 25A

• RBSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

UNIT

Symbol

V_CES

V_GE

APT35GP120B2DF2

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Amps

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_CM

Pulsed Collector Current

@ T_C= 25°C

140

RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area @ T_J= 150°C

140A @ 960V

543

Watts

°C

P_D

T_J,T_STG

T_L

Total Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1200

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 500µA)

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 35A, T_j= 25°C)

4.5

3.3

Volts

3.9

V_CE(ON)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 35A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

500

3000

±100

µA

I_CES

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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