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APT35GP120J

更新时间： 2024-10-28 08:33:23

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ADPOW		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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POWER MOS 7 IGBT

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APT35GP120J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	64 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	284 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	222 ns
标称接通时间 (ton)：	36 ns	Base Number Matches：	1

APT35GP120J 数据手册

APT35GP120J

1200V

POWER MOS 7 IGBT

SOT-227

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

highvoltageswitchingapplicationsandhasbeenoptimizedforhighfrequency

switchmode power supplies.

"UL Recognized"

ISOTOP^®

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• 50 kHz operation @ 800V, 14A

• 20 kHz operation @ 800V, 25A

• RBSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

UNIT

Symbol

V_CES

V_GE

APT35GP120J

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Amps

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_CM

140

Pulsed Collector Current

@ T_C= 25°C

RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area @ T_J= 150°C

140A @ 960V

284

Watts

°C

P_D

Total Power Dissipation

T_J,T_STG

-55 to 150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1200

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 250µA)

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

4.5

3.3

Volts

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 35A, T_j= 25°C)

V_CE(ON)

3.9

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 35A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

250

2500

±100

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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APT35GP120JDF2	ADPOW	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4
APT35GP120JDF2	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES
APT35GP120JDQ2	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT35GT120JU2	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU2-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon typ
APT35GT120JU3	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU3	ADPOW	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU3-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Buck chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon type
APT35M42BFN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 350V V(BR)DSS \| 95A I(D)

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