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APT35GP120BG

更新时间： 2024-11-27 12:47:31

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美高森美 - MICROSEMI		晶体半导体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
44页	2833K
描述
Power Semiconductors Power Modules

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APT35GP120BG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.17	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	96 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	543 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	222 ns	标称接通时间 (ton)：	36 ns
Base Number Matches：	1

Power Matters.

POWER PORTFOLIO 2012-2013

Power Semiconductors

Power Modules

RF Power MOSFETs

12 3 4 5 6 7...44

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT35GP120J	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT35GP120JD2	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 29A I(C), 1200V V(BR)CES
APT35GP120JDF2	ADPOW	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4
APT35GP120JDF2	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES
APT35GP120JDQ2	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT35GT120JU2	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU2-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon typ
APT35GT120JU3	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU3	ADPOW	获取价格	ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU3-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Buck chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon type