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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.45 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 96 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 30 V | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 543 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 220 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 36 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT35GP120BG | MICROSEMI |
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Power Semiconductors Power Modules |
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| APT35GP120J | ADPOW |
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POWER MOS 7 IGBT |
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| APT35GP120JD2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 29A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| APT35GP120JDF2 | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 |
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| APT35GP120JDF2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES |
|
| APT35GP120JDQ2 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
|
| APT35GT120JU2 | MICROSEMI |
获取价格 |
ISOTOP Buck chopper Trench IGBT |
|
| APT35GT120JU2-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon typ |
|
| APT35GT120JU3 | MICROSEMI |
获取价格 |
ISOTOP Buck chopper Trench IGBT |
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| APT35GT120JU3 | ADPOW |
获取价格 |
ISOTOP Buck chopper Trench IGBT |
|
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