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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2154 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2157 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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| 2SK2157C | RENESAS |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
|
| 2SK2157C-T1-AY | RENESAS |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
|
| 2SK2157C-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
|
| 2SK2158 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
|
| 2SK2158 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK2158 | TYSEMI |
获取价格 |
Capable of drive gate with 1.5 V Because of high input impedance, there is no need |
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| 2SK2158-A | RENESAS |
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100mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 2SK2158A-T1B | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 |
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