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2SK2162

更新时间: 2024-11-14 22:52:51
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
1页 92K
描述
N CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SK2162 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy零件包装代码:SC-64
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.28Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:180 V最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A
最大漏极电流 (ID):1 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:20 W
最大功率耗散 (Abs):20 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK2162 数据手册

  

2SK2162 替代型号

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