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2SJ313

更新时间: 2024-11-14 22:21:47
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 163K
描述
P CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION)

2SJ313 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Lifetime Buy零件包装代码:SC-67
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.26Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:180 V最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A
最大漏极电流 (ID):1 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):25 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ313 数据手册

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