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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 零件包装代码： | SC-67 |
| 包装说明： | 2-10R1B, SC-67, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 180 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ313-Y(F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-220AB |
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| 2SJ313-Y(Q) | TOSHIBA |
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Trans MOSFET P-CH 180V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
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| 2SJ314-01 | ETC |
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| 2SJ314-01L | FUJI |
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P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SJ314-01LS | FUJI |
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Transistor |
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| 2SJ314-01S | FUJI |
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P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SJ315 | TOSHIBA |
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P CHANNEL MOS TYPE (DC-DC CONVERTER) |
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| 2SJ315(2-7B2B) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 0.4 ohm, POWER, FET, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power |
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| 2SJ315(2-7B3B) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7B3B, SC-64, 3 P |
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| 2SJ315TE16R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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