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2SJ317NYTL-E

更新时间： 2024-01-17 04:59:03

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	74K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ317NYTL-E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.7 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ317NYTL-E 数据手册

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2SJ317

Silicon P Channel MOS FET

REJ03G0857-0200

(Previous: ADE-208-1191)

Rev.2.00

Sep 07, 2005

Description

High speed power switching

Low voltage operation

Features

•

•

•

Very low on-resistance

High speed switching

Suitable for camera or VTR motor drive circuit, power switch, solenoid drive and etc.

Outline

RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A

R

(Package name: UPAK

)

D

1

1. Gate

2

3

2. Drain

3. Source

4. Drain

G

4

S

Note: Marking is “NY”.

*UPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

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与2SJ317NYTL-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ317NYTR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SJ317NYTR	RENESAS	2A, 12V, 0.7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
2SJ317NYTR-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ317NYUL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SJ317NYUR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SJ317TR	RENESAS	暂无描述	获取价格

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