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2SJ319(S)-(3)

更新时间： 2024-01-05 09:05:30

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
11页	51K
描述
Transistor

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2SJ319(S)-(3) 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SJ319(S)-(3) 数据手册

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2SJ319(L), 2SJ319(S)

Silicon P-Channel MOS FET

ADE-208-1192 (Z)

1st. Edition

Mar. 2001

Application

High speed power switching

Features

•

•

•

•

•

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

No secondary breakdown

Suitable for switching regulator, DC-DC converter

Outline

DPAK-1

4

4

1

2

3

1

2

3

D

1. Gate

G

2. Drain

3. Source

4. Drain

S

12 3 4 5 6 7...11

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与2SJ319(S)-(3)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ319(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ319(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ319L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ319L	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格
2SJ319L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ319S	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格

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