2SJ317NYUR

更新时间： 2024-11-15 13:01:31

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日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
8页	41K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ317NYUR 数据手册

2SJ317

Silicon P-Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Low voltage operation

Features

•

Very low on-resistance

High speed switching

Suitable for camera or VTR motor drive circuit, power switch, solenoid drive and etc.

Outline

UPAK

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ317TR	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SJ318(L)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-251AA
2SJ318(S)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252AA
2SJ318(S)TL	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2SJ318L	ETC	获取价格
2SJ318S	ETC	获取价格
2SJ319	HITACHI	获取价格	Silicon P-Channel MOS FET
2SJ319	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ319(L)	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.3ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
2SJ319(L)	RENESAS	获取价格	暂无描述