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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.31 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ324-AZ | RENESAS |
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Switching P-Channel Power MOSFET, MP-3, /Bag |
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| 2SJ324-Z | NEC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SJ324-Z | KEXIN |
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P-Channel MOSFET |
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| 2SJ324-Z-AZ | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ324-Z-E1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ324-Z-E2-AZ | RENESAS |
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2SJ324-Z-E2-AZ |
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| 2SJ324-Z-T1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,2A I(D),TO-252VAR |
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| 2SJ324-Z-T1-AZ | RENESAS |
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2SJ324-Z-T1-AZ |
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| 2SJ324-Z-T2 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,2A I(D),TO-252VAR |
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| 2SJ324-Z-T2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SJ324-Z-T2-AZ |
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