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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220ML |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 25 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ321 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220FN |
|
| 2SJ322 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220FN |
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| 2SJ323 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220FN |
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| 2SJ324 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SJ324 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Power Transistors |
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| 2SJ324-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Switching P-Channel Power MOSFET, MP-3, /Bag |
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| 2SJ324-Z | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SJ324-Z | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET |
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| 2SJ324-Z-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ324-Z-E1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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