2SJ319(S)TL

更新时间： 2024-11-15 13:04:27

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日立 - HITACHI		/
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9页	48K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ319(S)TL 数据手册

2SJ319(L), 2SJ319(S)

Silicon P-Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Features

•

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

No secondary breakdown

Suitable for switching regulator, DC-DC converter

Outline

DPAK-1

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ319(S)TR	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2SJ319L	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
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2SJ319S	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
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2SJ319S	HITACHI	获取价格	Silicon P-Channel MOS FET
2SJ319STL-E	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
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