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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SJ317NYUR

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2SJ317NYUR

更新时间： 2024-02-10 04:57:10

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
8页	41K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ317NYUR 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.7 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ317NYUR 数据手册

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2SJ317

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

–4

–3

–2

–1

Pulse test

= –4 V

V

GS

V

GS

= 0 V

–2.5 V

0

–0.5

–1.0

–1.5

–2.0

(V)

Source to Drain Voltage

V

SD

6

1...3 4 567 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ317TR	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SJ318(L)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-251AA	获取价格
2SJ318(S)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252AA	获取价格
2SJ318(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ318L	ETC		获取价格
2SJ318S	ETC		获取价格

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