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2SJ319(S)TR

更新时间： 2024-02-04 22:22:58

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	100K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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技术参数
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2SJ319(S)TR 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.3	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	2.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ319(S)TR 数据手册

1

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与2SJ319(S)TR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ319L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ319L	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格
2SJ319L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ319S	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ319S	KEXIN	Silicon P-Channel MOSFET	获取价格
2SJ319S	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格

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