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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ319L | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ319L | HITACHI |
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Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ319L-E | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ319S | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ319S | KEXIN |
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Silicon P-Channel MOSFET |
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| 2SJ319S | HITACHI |
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Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ319STL-E | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ320 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ321 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220FN |
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| 2SJ322 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220FN |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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