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2SJ319(S)-(1)

更新时间： 2024-01-21 17:38:37

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日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
11页	51K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR

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2SJ319(S)-(1) 技术参数

2SJ319(L), 2SJ319(S)

Silicon P-Channel MOS FET

ADE-208-1192 (Z)

1st. Edition

Mar. 2001

Application

High speed power switching

Features

•

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

No secondary breakdown

Suitable for switching regulator, DC-DC converter

Outline

DPAK-1

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ319(S)-(2)	HITACHI	Transistor	获取价格
2SJ319(S)-(3)	HITACHI	Transistor	获取价格
2SJ319(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ319(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ319L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ319L	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格