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2SJ318S

更新时间: 2024-01-22 03:53:54
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其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 42K
描述

2SJ318S 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.29Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A
最大漏极电流 (ID):5 A最大漏源导通电阻:0.19 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):20 W最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ318S 数据手册

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2SJ318 L , 2SJ318 S  
Silicon P Channel MOS FET  
Application  
DPAK–1  
High speed power switching  
4
4
Features  
1
2
3
• Low on–resistance  
• High speed switching  
• Low drive current  
• 4 V gate drive device can be driven from  
5 V source  
2, 4  
1
2
3
1
1. Gate  
• Suitable for Switching regulator, DC – DC  
converter  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
3
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
———————————————————————————————————————————  
Drain to source voltage  
V
–20  
V
DSS  
———————————————————————————————————————————  
Gate to source voltage  
V
±20  
V
GSS  
———————————————————————————————————————————  
Drain current  
I
–5  
A
D
———————————————————————————————————————————  
Drain peak current  
I
*
–20  
A
D(pulse)  
———————————————————————————————————————————  
Body–drain diode reverse drain current  
I
–5  
A
DR  
———————————————————————————————————————————  
Channel dissipation  
Pch**  
20  
W
———————————————————————————————————————————  
Channel temperature  
Tch  
150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
PW 10 µs, duty cycle 1 %  
** Value at Tc = 25°C  
*

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