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2SJ324

更新时间： 2024-01-29 18:26:16

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关
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2页	52K
描述
MOS Field Effect Power Transistors

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2SJ324 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MP-3Z	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.45	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ324 数据手册

SMD Type

MOSFICET

MOS Field Effect Power Transistors

2SJ324

TO-252

Unit: mm

Features

+0.15

6.50

-0.15

+0.1

2.30

-0.1

+0.2

5.30

-0.2

+0.8

0.50

-0.7

Low on-state resistance

RDS(on)=0.18 (VGS=-10V,ID=-1A)

RDS(on)=0.36 (VGS=-4V,ID=-0.8A)

Built-in G-S Gate Protection Diode

0.127

max

+0.1

0.80

-0.1

1 Gate

+0.1

0.60

-0.1

2.3

4.60

2 Drain

3 Source

+0.15

-0.15

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Gate to source voltage (DC)

Gate to source voltage (AC)

Drain current (DC)

Symbol

VDSS

VGSS

Rating

-30

Unit

-20,+10

2.0

Drain current(pulse) *

8.0

Power dissipation

TC=25

TA=25

1.0

Channel temperature

Storage temperature

Tch

150

Tstg

-55 to +150

* PW

10 s; d

1%.

www.kexin.com.cn

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