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2SJ318S

更新时间： 2024-01-28 10:16:39

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2SJ318S 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ318S 数据手册

2SJ318 L , 2SJ318 S

Maximum Safe Oeparation Area

Power vs. Temperature Derating

–30

–10

10 µs

100 µs

–3

–1

Operation in this area

is limited by R

DS(on)

–0.3

–0.1

Ta = 25 °C

–1

–0.3

–3

–10

–30

(V)

100

150

200

Drain to Source Voltage

Case Temperature Ta (°C)

Typical Output Charactristics

–10V

Typical Transfer Characteristics

–10

–8

–6

–4

–2

–10

–8

–6

–4

–2

–5 V

–4 V

Pulse Test

= –10 V

–3.5 V

–3 V

Pulse Test

75 °C

25 °C

= –2.5 V

–6

Tc = –25 °C

–2

–4

–8

–10

(V)

–1

–2

–3

–4

–5

Drain to Source Voltage V

Gain to Source Voltage V

(V)

1 234 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ319	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格
2SJ319	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ319(L)	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2.3ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3	获取价格
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2SJ319(L)\|2SJ319(S)	ETC		获取价格
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