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2SJ321

更新时间： 2024-09-18 23:20:35

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TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-220FN

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2SJ321

Silicon P Channel MOS FET

Application

TO–220CFM

High speed power switching

Features

• Low on–resistance

• High speed switching

• Low drive current

• 4 V gate drive device can be driven from

5 V source

• Suitable for Switching regulator, DC – DC

converter

• Avalanche Ratings

1. Gate

2. Drain

3. Source

Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

———————————————————————————————————————————

Drain to source voltage

–60

DSS

———————————————————————————————————————————

Gate to source voltage

±20

GSS

———————————————————————————————————————————

Drain current

–15

———————————————————————————————————————————

Drain peak current

–60

D(pulse)

———————————————————————————————————————————

Body–drain diode reverse drain current

–15

———————————————————————————————————————————

Avalanche current

***

–15

———————————————————————————————————————————

Avalanche energy

***

———————————————————————————————————————————

Channel dissipation

Pch**

———————————————————————————————————————————

Channel temperature

Tch

150

°C

———————————————————————————————————————————

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

———————————————————————————————————————————

PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %

** Value at Tc = 25 °C

*** Value at Tch = 25 °C, Rg ≥ 50 Ω

12 3

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2SJ324	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SJ324	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Power Transistors
2SJ324-AZ	RENESAS	获取价格	Switching P-Channel Power MOSFET, MP-3, /Bag
2SJ324-Z	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-252VAR
2SJ324-Z	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
2SJ324-Z-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
2SJ324-Z-E1	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
2SJ324-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SJ324-Z-E2-AZ

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