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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.13 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ317NYTR-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ317NYUL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ317NYUR | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ317TR | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SJ318(L) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA |
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| 2SJ318(S) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
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| 2SJ318(S)TL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ318L | ETC |
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| 2SJ318S | ETC |
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| 2SJ319 | HITACHI |
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Silicon P-Channel MOS FET |
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