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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ317NYTL-E | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ317NYTR | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ317NYTR | RENESAS |
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2A, 12V, 0.7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ317NYTR-E | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ317NYUL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ317NYUR | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ317TR | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SJ318(L) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA |
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| 2SJ318(S) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
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| 2SJ318(S)TL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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