5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.63 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-243 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 3.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ317 | HITACHI | Silicon P-Channel MOS FET |
获取价格 |
|
| 2SJ317 | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
获取价格 |
|
| 2SJ317NY | HITACHI | 2A, 12V, 0.7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
获取价格 |
|
| 2SJ317NYTL | RENESAS | 暂无描述 |
获取价格 |
|
| 2SJ317NYTL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
获取价格 |
|
| 2SJ317NYTL-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
获取价格 |
|
AO3401场效应管参数、引脚图、应用原理图
BT131可控硅参数及引脚图、工作原理详解
74LS32芯片参数、引脚图及功能真值表
全球首块英伟达H200交付 黄仁勋“送货上门”
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
