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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 1.27 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF820ALTRLPBF | VISHAY |
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暂无描述 |
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| IRF820APBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF820APBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF820AS | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF820AS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A) |
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| IRF820AS, SiHF820AS, IRF820AL, SiHF820AL | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF820ASPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF820ASPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF820ASTRL | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-263AB |
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| IRF820ASTRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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