Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF820ASTRRPBF

IRF820ASTRRPBF

更新时间： 2024-10-01 13:08:47

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	562K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF820ASTRRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.04	雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF820ASTRRPBF 数据手册

IRF820, SiHF820

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.0

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

3.3

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

TO-220

The TO-220 package is universally preferred for

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRF820PbF

SiHF820-E3

IRF820

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF820

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

2.5

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

1.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

8.0

Linear Derating Factor

0.40

210

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

2.5

E_AR

5.0

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 60 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.5 A, dI/dt ≤ 50 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91059

S-81276-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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与IRF820ASTRRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF820B	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
IRF820BJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF820C	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF820D1	MOTOROLA	获取价格	2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF820F	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
IRF820FI	ETC	获取价格	(169.47 k)
IRF820FPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
IRF820FX	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
IRF820FXPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
IRF820L	MOTOROLA	获取价格	暂无描述

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