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IRF820B

更新时间： 2024-09-30 22:24:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 859K
描述
500V N-Channel MOSFET

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IRF820B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.07雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A最大漏极电流 (ID)：2.5 A
最大漏源导通电阻：2.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：49 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF820B 数据手册

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November 2001  
IRF820B/IRFS820B  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies,  
power factor correction and electronic lamp ballasts based  
on half bridge.  
•
•
•
•
•
•
2.5A, 500V, R  
= 2.6Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 14 nC)  
Low Crss ( typical 10 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220  
IRF Series  
TO-220F  
IRFS Series  
G
D S  
G D  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRF820B  
IRFS820B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
2.5  
1.6  
8.0  
2.5 *  
1.6 *  
8.0 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
200  
2.5  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.9  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
49  
33  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.39  
0.27  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
2.57  
0.5  
Max  
3.74  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case Max.  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
θJC  
θCS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Max.  
62.5  
62.5  
θJA  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, November 2001  
1234567...10

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