是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 0.71 | 雪崩能效等级(Eas): | 140 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 2.5 A | 最大漏源导通电阻: | 3 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP4NK50ZD | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 500V - 2.4ヘ - 3A - TO-220 - TO-220F | |
IRF820B | FAIRCHILD |
功能相似 |
500V N-Channel MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF820AS | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRF820AS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A) | |
IRF820AS, SiHF820AS, IRF820AL, SiHF820AL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRF820ASPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF820ASPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRF820ASTRL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-263AB | |
IRF820ASTRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IRF820ASTRR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-263AB | |
IRF820ASTRRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IRF820B | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |