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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF820S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A) |
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| IRF820S, SiHF820S, IRF820L, SiHF820L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF820SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF820SPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF820SR | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF820STRL | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK |
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| IRF820STRR | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK |
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| IRF820T | MOTOROLA |
获取价格 |
2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF820U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRF820W | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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