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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 7 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF822-005 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| IRF822FI | STMICROELECTRONICS |
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N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
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| IRF822R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
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| IRF823 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V |
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| IRF823 | MOTOROLA |
获取价格 |
N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
|
| IRF823 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF823R | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,2A I(D),TO-220AB |
|
| IRF8252PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF8252PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRF82FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
|
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