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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.07 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF821-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF821FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF821R | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,2.5A I(D),TO-220AB |
|
| IRF822 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF822 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
|
| IRF822 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| IRF822 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| IRF822 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V |
|
| IRF822-004 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| IRF822-005 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
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