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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF821 | MOTOROLA |
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N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
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| IRF821 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF821 | ROCHESTER |
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2.5A, 450V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF821 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V |
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| IRF821-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF821FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
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| IRF821R | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,2.5A I(D),TO-220AB |
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| IRF822 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF822 | STMICROELECTRONICS |
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N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
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| IRF822 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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