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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF820SR | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF820STRL | VISHAY |
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MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK |
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| IRF820STRR | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK |
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| IRF820T | MOTOROLA |
获取价格 |
2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF820U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF820W | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF821 | MOTOROLA |
获取价格 |
N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
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| IRF821 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF821 | ROCHESTER |
获取价格 |
2.5A, 450V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF821 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V |
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