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IRF830

更新时间： 2024-02-04 09:23:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管场效应晶体管局域网
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1页	115K
描述
N-channel mosfet transistor

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IRF830 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.04	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	74 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF830 数据手册

MOSFET

INCHANGE

IRF830

N-channel mosfet transistor

Features

·With TO-220 package

·Simple drive requirements

·Fast switching

1 2 3

·V_DSS=500V; R_DS(ON)≤1.5Ω;I_D=4.5A

·1.gate 2.drain 3.source

Absolute Maximum Ratings Tc=25℃

SYMBOL

V_DSS

V_GS

I_D

PARAMETER

Drain-source voltage (V_GS=0)

Gate-source voltage

RATING

500

UNIT

±20

4.5

Drain Current-continuous@ T_C=25℃

Total Dissipation@T_C=25℃

Max. Operating Junction temperature

Storage temperature

P_tot

100

T_j

150

℃

T_stg

-65~150

TO-220

Electrical Characteristics Tc=25℃

SYMBOL

V_(BR)DSS

V_GS(TH)

R_DS(ON)

I_GSS

PARAMETER

CONDITIONS

V_GS=0; I_D=0.25mA

V_DS= V_GS; I_D=0.25mA

MIN

500

MAX

UNIT

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

Drain-source on-stage resistance V_GS=10V; I_D=2.7A

1.5

±100

1.0

V_GS=±20V;V_DS=0

V_DS=500V; V_GS=0

I_F=4.5A; V_GS=0

Gate source leakage current

Zero gate voltage drain current

Diode forward voltage

I_DSS

V_SD

1.6

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