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IRF8252PBF-1

更新时间： 2024-11-23 14:51:35

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9页	211K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRF8252PBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRF8252PBF-1 数据手册

IRF8252PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

2.7

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

Q_{g (typical)}

I_D

(@T_A= 25°C)

SO-8

Top View

Applications

Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power

Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters

Features

Benefits

Industry-standard pinout SO-8 Package

Multi-Vendor Compatibility

⇒

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

MSL1, Industrial qualification

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Standard Pack

Form

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

Tube/Bulk

Tape and Reel

4000

IRF8252PbF-1

IRF8252TRPbF-1

IRF8252PbF-1

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

±20

Gate-to-Source Voltage

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

200

2.5

1.6

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.02

-55 to + 150

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

Max.

Units

R_θJL

R_θJA

°C/W

–––

Notes through ꢀare on page 9

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November 22, 2013

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