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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, SOP-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 231 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0027 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF8252PBF-1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRF82FI | STMICROELECTRONICS |
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N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
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| IRF830 | ISC |
获取价格 |
N-channel mosfet transistor |
|
| IRF830 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF830 | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| IRF830 | COMSET |
获取价格 |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
|
| IRF830 | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
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| IRF830 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET |
|
| IRF830 | TRSYS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| IRF830 | INTERSIL |
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4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
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