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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.7 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF8252PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF8252PBF-1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRF82FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
|
| IRF830 | ISC |
获取价格 |
N-channel mosfet transistor |
|
| IRF830 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF830 | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| IRF830 | COMSET |
获取价格 |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
|
| IRF830 | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
|
| IRF830 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET |
|
| IRF830 | TRSYS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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