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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF820FI | ETC |
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(169.47 k) |
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| IRF820FPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| IRF820FX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| IRF820FXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| IRF820L | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| IRF820N | MOTOROLA |
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2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF820PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF820PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF820R | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,2.5A I(D),TO-220AB |
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| IRF820S | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A) |
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