IRF820ASPBF

更新时间： 2024-10-01 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	168K
描述
Power MOSFET

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IRF820ASPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.19
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF820ASPBF 数据手册

IRF820AS, SiHF820AS, IRF820AL, SiHF820AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

500

Requirement

Available

_DS(on)(Max.) (Ω)

V_GS= 10 V

3.0

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

4.3

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

8.5

Configuration

Single

• Effective C_ossspecified

• Lead (Pb)-free Available

APPLICATIONS

D²PAK

(TO-263)

I²PAK

(TO-262)

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

• Half Bridge and Full Bridge

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF820ASPbF

SiHF820AS-E3

IRF820AS

I²PAK (TO-262)

IRF820ALPbF

SiHF820AL-E3

IRF820AL

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF820AS

SiHF820AL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

2.5

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

1.6

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

Avalanche Current^a

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

0.4

W/°C

I_AR

E_AS

140

I_AR

2.5

Repetiitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

E_AR

5.0

_C= 25 °C

P_D

3.4

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 45 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.5 A, dI/dt ≤ 270 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF820A/SiHF820A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91058

S-Pending-Rev. A, 02-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF820ASTRL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| TO-263AB
IRF820ASTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF820ASTRR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| TO-263AB
IRF820ASTRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF820B	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
IRF820BJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF820C	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF820D1	MOTOROLA	获取价格	2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF820F	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
IRF820FI	ETC	获取价格	(169.47 k)

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