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IRF820BJ69Z

更新时间： 2024-11-20 07:28:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 858K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN

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November 2001  
IRF820B/IRFS820B  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies,  
power factor correction and electronic lamp ballasts based  
on half bridge.  
•
•
•
•
•
•
2.5A, 500V, R  
= 2.6Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 14 nC)  
Low Crss ( typical 10 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220  
IRF Series  
TO-220F  
IRFS Series  
G
D S  
G D  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRF820B  
IRFS820B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
2.5  
1.6  
8.0  
2.5 *  
1.6 *  
8.0 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
200  
2.5  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.9  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
49  
33  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.39  
0.27  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
2.57  
0.5  
Max  
3.74  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case Max.  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
θJC  
θCS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Max.  
62.5  
62.5  
θJA  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, November 2001  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF820C MOTOROLA

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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