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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 45 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2165-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2166-01 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-218VAR |
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| 2SK2166-01R | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2167 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2168 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2169 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2169AZ | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SK216-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK216K | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500MA I(D) | TO-220AB |
|
| 2SK217 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel Junction FET |
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