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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.87 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 60 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 35 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2178 | SHINDENGEN |
获取价格 |
VX-2 Series Power MOSFET(500V 2A) |
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| 2SK2179 | SHINDENGEN |
获取价格 |
VX-2 Series Power MOSFET(500V 3A) |
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| 2SK217C | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK217-C | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK217-C | RENESAS |
获取价格 |
VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
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| 2SK217D | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK217-D | RENESAS |
获取价格 |
VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
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| 2SK217-D | HITACHI |
获取价格 |
VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
|
| 2SK217E | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| 2SK217E | RENESAS |
获取价格 |
VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3 |
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