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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2169AZ | ONSEMI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK216-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK216K | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500MA I(D) | TO-220AB |
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| 2SK217 | HITACHI |
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Silicon N-Channel Junction FET |
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| 2SK2170 | SANYO |
获取价格 |
Impedance Converter Applications |
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| 2SK2171 | SANYO |
获取价格 |
High-Frequency, High-Frequency Amp Analog Switch Applications |
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| 2SK2173 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
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| 2SK2173(F) | TOSHIBA |
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MOSFET N-CH 60V 50A 2-16C1B |
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| 2SK2173_06 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applic |
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| 2SK2173_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive |
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